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半導體激光器

首個直接兼容硅晶片的鍺錫半導體激光器

來源:中國光電網2015-03-12 我要評論(0 )   

  來自尤里希旗下皮特格林貝格研究所(PGI-9)和保羅謝勒研究所(Paul Scherrer Institute)的科學家們已經用鍺和錫制成了實驗用的

   來自尤里希旗下“皮特格林貝格研究所”(PGI-9)和“保羅謝勒研究所”(Paul Scherrer Institute)的科學家們已經用鍺和錫制成了實驗用的附件,并且在硅晶片上進行了測試。

  保羅謝勒研究所在測定之后發現,鍺錫化合物可以同時產生和放大激光信號,而且錫元素對這種新設備的光學性能顯得非常重要。PGI-9博士生Stephen Wirths補充道:“高含錫量決定了它的光學性能,這是我們首次在晶格中摻入了超過10%的錫而沒有損失其光學品質”。

  目前電子系統中所使用的半導體激光器,主要由元素周期表中的第三族或第五族元素所組成,比如砷化鎵。也正因為如此,由這些材料制成的激光器無法與其它硅基半導體裝置直接兼容(不僅困難,而且費力)。此外,由于其連接材料擁有不同的系數,裝置的使用壽命也會有所降低。PGI-9博士Dan Buca表示:“這款激光裝置可以在有史以來的最低溫下工作(零下183攝氏度/零下297.4華氏度)”。相信這款測試系統在優化之后,還會帶來更加優異的性能表現。

  此外,同步電路的時鐘信號可使用高達30%的能量,這樣可以在光傳輸過程中節省大量能量。

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半導體激光器激光信號
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