美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發出一款基于納米結構的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發的條件下可將電導率比現有半導體器件提高近10倍。這一成果發表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。
傳統的半導體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發。該團隊在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結構(稱為“超材料”結構)，在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光激發下，即可釋放自由電子，從而極大地提高器件的電導率。
這一器件不可能完全替代半導體器件，但可能在特殊需求下得到最佳應用，如超高頻器件或大功率器件。未來不同的超材料表面結構可能適用于不同類型的微電子器件，應用于光化學、光催化、光伏轉化等領域。
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