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      激光制造網2月5日消息：近日本站從中科院半導體研究所獲悉，2013年2月1日，中科院計劃財務局和高技術局組織專家對該所“高效大功率GaN LED外延及芯片技術” “低電壓垂直結構GaN LED芯片技術”“ 深紫外LED關鍵材料及器件技術”及“ MOCVD重大裝備技術”等四項科技成果進行了鑒定。

　  成果鑒定會上，由多位院士組成的鑒定委員會委員聽取了半導體所做的技術總結報告、測試報告、技術查新報告及用戶使用報告，審查了相關材料，最終分別對四項成果形成了鑒定意見，各項成果綜合研究指標均達到國內領先、國際先進水平，整個鑒定工作圓滿完成。

　  此次成果鑒定是半導體所在半導體照明領域自2006年至2012年六年的成果累計，半導體照明研發中心結合產業的實際情況，針對不同企業會對技術有不同的需求，特別是對單項技術的需求，對不同時期、不同類型的十余項國家項目進行了高度凝練，總結出各自具有系統性集成化的單項科學技術，以便未來成果順利轉移轉化，為產業提供有力的技術支撐。