高功率半導(dǎo)體單管芯片作為激光器的核心元器件，其功率水平直接影響激光系統(tǒng)的體積與成本。歷經(jīng)多年迭代，商用芯片功率于2023年達(dá)到50W。更高功率至今仍是行業(yè)追逐的焦點(diǎn)，代表了芯片綜合技術(shù)能力的發(fā)展水平。
近日，長(zhǎng)光華芯超高功率單管芯片在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研制技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，研制出的單管芯片室溫連續(xù)功率超過(guò)100W（芯片條寬 500μm），工作效率 62%，是迄今為止已知報(bào)道的單管芯片功率最高水平記錄，開(kāi)啟了百瓦級(jí)單管芯片新紀(jì)元！
500μm 發(fā)光寬度芯片的功率效率曲線(xiàn)
1月30日至2月1日，長(zhǎng)光華芯攜帶高功率技術(shù)首次亮相美國(guó)舊金山2024 SPIE Photonics West光電展。屆時(shí)，長(zhǎng)光華芯高功率半導(dǎo)體激光芯片、激光雷達(dá)與3D傳感芯片、高速光通信芯片、光纖耦合模塊、陣列、直接半導(dǎo)體激光器等全系列產(chǎn)品也將在#2367展位展出！
長(zhǎng)光華芯專(zhuān)注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片，核心技術(shù)覆蓋半導(dǎo)體激光行業(yè)最核心的領(lǐng)域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長(zhǎng)、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題，建成了完全自主可控的從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測(cè)試、光學(xué)耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線(xiàn)，是全球少數(shù)幾家具備6吋線(xiàn)外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一，有力推動(dòng)了我國(guó)超高功率激光技術(shù)及其應(yīng)用的快速發(fā)展。
長(zhǎng)光華芯IDM全流程工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線(xiàn)
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