10月27日消息，創合鑫材基金完成對安徽格恩半導體有限公司的獨家投資。格恩半導體主營高端化合物半導體外延材料、芯片及器件的研發、生產和銷售，目前已具備大功率半導體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產能力，多款產品實現國產化替代，是國內唯一量產氮化鎵（GaN）基半導體激光器芯片的企業。GaN基半導體藍綠光激光芯片市場長期被日本及德國企業壟斷，外企占據了激光照明、激光顯示、汽車大燈和激光工業焊接的大部分市場，相關技術、工藝處于保密狀態，下游國產廠商發展受制于相關芯片及器件的價格及供應量，急需國產供應商提供替代產品。目前，格恩半導體是國內兼具技術和量產能力的廠商，擁有藍綠光半導體激光器及高功率LED生產線，也是全球少數在該領域擁有外延生長、芯片研制以及器件封裝產能的企業。格恩半導體由國內外化合物半導體領域領軍人才聯合創立。核心團隊成員都具有十年以上豐富的化合物半導體研發和產業化經驗，主要技術骨干包括留學歸國人員及來自中國科學院各院所、清華大學、北京大學、中國科學技術大學等重點院校和國內外半導體產業頭部企業的專家。團隊憑借在化合物半導體，尤其是GaN材料領域多年的研發和生產經驗，攻克了一系列技術難點，包括設計非對稱壘結構，通過參數控制、機臺預處理、特殊摻雜改善銦析出、控制缺陷密度、芯片倒裝結構設計、改善腔面制作技術、芯片級共晶焊接等，實現了藍綠光激光芯片的量產。國投創合表示，第三代半導體材料是我國重點發展的新材料領域，也是國投創合重點布局的領域之一。除熱導率外，第三代半導體材料GaN的其他關鍵參數在眾多半導體材料中最優。因此，GaN應用廣泛，主要包括光電芯片（LED芯片、激光芯片）、功率芯片和射頻芯片等。目前，國內普通LED芯片已實現國產化替代，但大功率LED芯片、激光芯片、功率芯片和射頻芯片仍亟待加強自主研發。從產業鏈看，GaN產業鏈分為襯底、外延、芯片和器件等環節。因下游應用類別多，需針對不同應用制作不同的外延層、設計并制造不同的芯片結構，外延層金屬材料的添加、析出控制及芯片垂直結構制造具有較高技術門檻，外延和芯片密不可分。故主流產業分工方式是襯底企業專攻襯底生長，外延與芯片設計制造及封裝在同一企業內完成。國投創合重點關注掌握可量產襯底生長技術或同時掌握外延及芯片設計制造技術的IDM企業。格恩半導體不僅瞄準亟待國產化替代的激光芯片和大功率LED芯片，并布局了功率芯片和射頻芯片，還同時掌握外延及芯片設計等環節的關鍵技術，具有較深的“護城河”。未來，國投創合將發揮產業鏈及平臺資源優勢，協助格恩半導體進一步擴產，助力其成為國內GaN領域龍頭企業。
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