近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張艷峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層薄膜。
六方氮化硼是一類重要的二維半導體層狀材料，如何在晶圓上實現單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應用于集成電路中的關鍵挑戰。研究人員在藍寶石基底上生長表面取向為（111）的無晶界單晶銅薄膜，以此作為襯底進一步制備完全有序的六方氮化硼晶圓片。對大面積單層薄膜結構單晶性質的表征和確認是兩維材料研究中一個公認難題。研究人員借助于實驗室自行研制的深紫外激光PEEM/LEEM裝備，利用其特有的表面微區成像和衍射功能，在1英寸晶圓表面上選取近百個微米尺寸的微區進行結構分析，實驗結果證實，六方氮化硼薄膜與Cu(111)襯底表面取向完全一致，確認了該單層薄膜的單晶特性。
相關成果發表在《自然》（Nature）上。該工作得到國家自然科學基金科學中心項目、中科院戰略性先導科技專項B類“能源化學轉化的本質與調控”、國家重大科研裝備研制項目等資助。
大連化物所等利用深紫外激光PEEM/LEEM表征晶圓六方氮化硼結構研究獲進展
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