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該系列模塊封裝技術采用了華光光電 戰略性項目研究成果，通過了山東省信息技術與信息化科技成果鑒定。300W、500W、1000W 宏通道模塊在連續電流測試下的最大輸出功率分別達360W、750W、1200W，對應的能量遠超脫毛應用 的需求，波長－電流漂移系數達0．15nm／A，已經達到業界領先水平，見圖1和圖2

 

 

圖1 300W、500W、100W金錫封裝宏通道半導體激光模塊

 

 

圖2 500W金錫封裝宏通道半導體激光模塊測試圖

 

根據客戶和實際應用的需求，華光光電對該系列激光模塊可提供高性價比的光束整形方案，實現方形光斑輸出，提高能量密度及均勻性分布，見圖3。

 

整形前

 

整形后

 

進一步處理后

 

圖3 金錫封裝宏通道半導體激光模塊光束整形

 

作為激光模塊的核心部件巴條，目前國產化較低，市場上大部分模塊使用進口巴條，供貨量、供貨周期無法得到保證，尤其最近美國禁止為中興供應芯片事件的發生更是讓中國半導體行業驚出一身冷汗，所以為防止類似事件再次發生，華光 光電在該系列激光模塊產品中使用了自產的100W和60W巴條（參考圖4），該產品來源于華光光電的國家863項目－高功率808nm非對稱無鋁應變量子阱激光器成果轉化。100W巴條在連續電流測試下輸出功率達142W＠135A，斜率效率1．16W／A，電光轉換效率50％（參考圖5，從圖中可以看出，在135A電流下巴條的輸出光功率并沒有出現明顯的熱飽和現象，只是受限于電源線的電流承受能力，所以沒有繼續測試），863項目核心技術對產品質量和供貨能力提供了強有力的保障。

 

100W巴條

 

  60W巴條

 

圖4 華光光電 100W和60W巴條

 

 

100W 巴條 P－I 曲線

 

圖5 100W巴條P－I曲線圖

 

華光光電開發的醫療美容用金錫封裝宏通道半導體激光模塊性能優良，并成功推向市場，在大功率芯片國產化的道路上邁出了堅實的一步，華光光電 會致力于研發種類更多、功率更高的大功率芯片、巴條，并在激光器件上投入使用，引領芯片及激光器件國產化潮流。